長鑫存儲｜前三星工程師外洩DRAM技術 被判囚5年「中國晶片人才戰白熱化」
前三星工程師跳槽長鑫存儲後被首爾高等法院判囚五年，案情反映中國晶片企業以高薪挖角海外人才，縮短與美韓對手差距。Counterpoint分析師指長鑫存儲已成具意義競爭對手，全球DRAM市佔達一成，但亞洲各地保護商業機密法律各異，訴訟風險上升。
【揀報】前三星電子工程師2016年轉投中國長鑫存儲（CXMT），涉嫌洩露先進DRAM技術，首爾高等法院10月22日改判五年監禁，較初審減輕兩年。 《CNBC》報道指出，中國晶片商正以高薪、股票期權及家庭支援等條件，積極招攬海外工程師，突破美國出口管制帶來的設備限制。Counterpoint Research高級分析師Jeongku Choi表示，中國廠商已從追趕者變成「具意義競爭對手」（meaningful competitor）。該機構數據顯示，長鑫存儲2026年第二季全球DRAM營收市佔率達10%。 台灣Innovatus Law合夥人Jamie J. Yang指出，半導體製程複雜，單一工程師難以複製整條生產線，但「個人專業知識與公司機密的界線模糊」（blurred line between personal expertise and proprietary information）。新加坡Lee & Lee合夥人Zechariah Chan則指，晶片工藝多屬無形技術，外界難從成品逆向追查，令舉證困難。 韓國已將部分半導體技術列為「國家核心技術」（National Core Technologies），外洩刑罰加重。Choi警告，中國企業一旦拓展出口市場，商業機密糾紛將延伸至智慧財產權及法律層面。 三星及長鑫存儲未回應查詢。
新聞來源：《CNBC》